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J-GLOBAL ID:200903031579087259
クリーニング方法及びクリーニング装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
油井 透 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997272631
Publication number (International publication number):1998176272
Application date: Oct. 06, 1997
Publication date: Jun. 30, 1998
Summary:
【要約】【課題】 クリーニングの終点で確実にクリーニング処理を終了させることができるようにする。【解決手段】 ガス導入点Aとガス排出点Bとがそれぞれ1つずつ設けられる。温度検出点Cがガス導入点Aとガス排出点Bとの間にクリーニングガスの流れの方向Dに沿って複数設けられる。これら複数の温度検出点C(1),C(2),...,C(N)の温度が最上流の温度検出点C(1)から最下流の温度検出点C(N)まで一旦上昇した後下降したとき、クリーニング処理が終了させられる。
Claim (excerpt):
クリーニングガスを予め定めたガス導入点から反応炉の内部に導入した後、この反応炉の軸芯方向に沿って流し、予め定めたガス排出点から排出することにより反応炉の内部に付着した膜を除去するクリーニング方法において、クリーニング時、少なくともクリーニングが遅く終了する部分に定められた温度検出点の温度が一旦上昇した後下降したとき、クリーニング処理を終了させることを特徴とするクリーニング方法。
IPC (4):
C23C 16/44
, H01L 21/3065
, H01L 21/31
, H01L 21/205
FI (4):
C23C 16/44 J
, H01L 21/31 B
, H01L 21/205
, H01L 21/302 N
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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特開平1-306582
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ガスエツチングのエンドポイント検出方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-284818
Applicant:京セラ株式会社
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半導体形成装置およびそのクリーニング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-110799
Applicant:株式会社東芝
-
マイクロ波プラズマ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-222978
Applicant:株式会社日立製作所
-
半導体製造装置及びそのクリーニング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-041335
Applicant:富士通株式会社
-
枚葉式の熱処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-210973
Applicant:東京エレクトロン株式会社
-
特開平3-259083
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