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J-GLOBAL ID：200903031605982172

メモリマトリクス

Inventor： ディートマー ゴーグル ,  トーマス レーア ,  ハインツ ヘーニッヒシュミート
Applicant, Patent owner： インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001211245
Publication number (International publication number)：2002134708
Application date： Jul. 11, 2001
Publication date： May. 10, 2002
Summary：

【要約】【課題】 列線路および行線路から成るセルフィールドを有しているメモリマトリクスであって、列線路および行線路の交点にそれぞれメモリ素子が存在しており、セルフィールドの行線路および/または列線路が相並んで配置されている形式のものにおいて、隣接線路に対する過結合の不都合な作用を低減する。【解決手段】 少なくとも2つの列線路または行線路は相互にその配置を変えている。

Claim (excerpt)：

列線路および行線路から成る少なくとも1つのセルフィールドを有しているメモリマトリクスであって、列線路および行線路の交点にそれぞれメモリ素子が存在しており、ここでセルフィールドの行線路および/または列線路が相並んで配置されている形式のものにおいて、少なくとも2つの列線路または行線路は相互にその配置を変えていることを特徴とするメモリマトリクス。

IPC (4)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08

FI (4)：

G11C 11/14 Z ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

F-Term (3)：

5F083FZ10 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-058304   Applicant：株式会社日立製作所
• ダイナミックランダムアクセスメモリアレイおよびダイナミックランダムアクセスメモリアレイの密度を高める方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-184054   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト, インターナショナルビジネスマシーンズコーポレーション
• 特開平4-212452
  
• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-017077   Applicant：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
• 固体メモリおよびメモリ形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-312782   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 特開平4-212452
  
• 特公昭47-015778