面発光半導体レーザ

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994211554
Publication number (International publication number)：1996078773
Application date： Sep. 05, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】1.0μmよりも大きな発振波長帯の発光半導体レーザに関し、歩留り、発光効率を良くすること。【構成】三元混晶半導体層1の上に形成され、該半導体基板1に格子整合する半導体多層膜よりなる第一の分布反射ミラー4と、前記第一の分布反射ミラー4の上に形成された第一のクラッド層5と、前記第一のクラッド層5の上方に形成された歪量子井戸構造の活性層7と、前記活性層7の上方に形成される第二のクラッド層9と、前記第二のクラッド層9の上に形成された半導体多層膜又は誘電体多層膜よりなる第二の分布反射ミラー16とを含む。

Claim (excerpt)：

三元混晶半導体層の上に形成され、該三元混晶半導体層に格子整合する半導体多層膜よりなる第一の分布反射ミラーと、前記第一の分布反射ミラーの上に形成された第一のクラッド層と、前記第一のクラッド層の上方に形成された歪量子井戸構造の活性層と、前記活性層の上方に形成される第二のクラッド層と、前記第二のクラッド層の上に形成された半導体多層膜又は誘電体多層膜よりなる第二の分布反射ミラーとを有することを特徴とする面発光半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

長波長帯面発光半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-279701 Applicant：日本電信電話株式会社
面発光半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-215233 Applicant：富士通株式会社
特開平4-127521

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