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J-GLOBAL ID：200903031722928952

炭素膜、炭素膜の成膜方法、および炭素膜被覆部材

Inventor： 織田 一彦 ,  大原 久典 ,  内海 慶春
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 亀井 弘勝 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001342218
Publication number (International publication number)：2003147508
Application date： Nov. 07, 2001
Publication date： May. 21, 2003
Summary：

【要約】【課題】ダイヤモンド膜あるいはダイヤモンド状炭素膜に代わって、工具、金型、機械部品などの耐磨耗性および耐久性を向上させるための炭素膜を提供する。【解決手段】密度が2.8〜3.3g/cm3である炭素膜であって、当該膜はスピン密度が1×1018〜1×1021spins/cm3、炭素濃度が99.5原子%以上、水素濃度が0.5原子%以下、希ガス元素濃度が0.5原子%以下、ヌープ硬度が2000〜6000であることが好ましい。この炭素膜は、カソードアークイオンプレーティング法またはレーザーアブレーション法で、固体炭素を原料とし、真空度0.05Pa以下の雰囲気下で、水素および希ガス元素を含むガスを雰囲気に導入しないことにより、成膜できる。この炭素膜が被覆された炭素膜被覆部材は、耐磨耗性および耐久性に優れている。

Claim (excerpt)：

密度が2.8g/cm3以上3.3g/cm3以下であることを特徴とする炭素膜。

IPC (2)：

C23C 14/06 ,  B23B 27/14

FI (2)：

C23C 14/06 F ,  B23B 27/14 A

F-Term (11)：

3C046FF09 ,  4K029AA02 ,  4K029BA34 ,  4K029BC02 ,  4K029BD03 ,  4K029BD05 ,  4K029CA01 ,  4K029CA03 ,  4K029DB20 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平2-022458
  
• 硬質炭素膜及び硬質炭素膜被覆部材並びに硬質炭素膜生成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-009344   Applicant：京セラ株式会社
• 硬質被膜及び被覆部材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-367844   Applicant：住友電気工業株式会社
• ダイヤモンドライクカーボン多層膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-126827   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• ヘッドスライダー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-186765   Applicant：日立金属株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• Experimental Study of Hydrogen-free DLC film Deposition by XeCl(308nm) pulsed laser ablation
• Raman spectroscopy of carbon films grown by pulsed laser evaporation of graphite
• The investigation of thermal effect on the properties of pulsed laser deposited diamond-like carbon
• DIAMOND-LIKE CARBON-FILMS SYNTHESIZED BY CATHODIC ARC EVAPORATION