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J-GLOBAL ID：200903031794634180

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Inventor：
田原 慈

About 田原 慈


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004057290
Publication number (International publication number)：2005251837
Application date： Mar. 02, 2004
Publication date： Sep. 15, 2005
Summary：
【課題】有機系低誘電率膜及びレジスト膜が形成された被アッシング基板の当該レジスト膜をプラズマを用いてアッシング除去する際に、従来に比べて有機系低誘電率膜に与えるダメージを軽減することのできるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理チャンバ102内の圧力を4Pa以下とし、第1の高周波電源140から上部電極121に第1の周波数の高周波電力で印加電力が0.81W/cm2 以下の電力を供給してO2 プラズマを生成し、第2の高周波電源150からサセプタ (下部電極)105に第1の周波数より低い第2の周波数を有する第2の高周波電力を印加して、自己バイアス電圧を生成する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
プラズマ処理室の内部の圧力が4Pa以下の範囲において、少なくとも酸素を含む処理ガスを使用し、有機系低誘電率膜及びレジスト膜が形成された被アッシング基板の前記レジスト膜をアッシング除去する方法であって、 第1の周波数を有する第1の高周波電力を印加して、前記処理ガスのプラズマを生成する工程と、 前記被アッシング基板が載置された電極に、前記第1の周波数より低い第2の周波数を有する第2の高周波電力を印加して、自己バイアス電圧を生成する工程とを有し、 前記第1の高周波電力の印加電力が0.81W/cm2 以下であることを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (3)：
H01L21/3065 ,  G03F7/42 ,  H01L21/027
FI (3)：
H01L21/302 104H ,  G03F7/42 ,  H01L21/30 572A
F-Term (14)：
2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096LA07 ,  2H096LA08 ,  5F004AA06 ,  5F004BA09 ,  5F004BB13 ,  5F004BD01 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB26 ,  5F046MA12
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (2)
  • 特開昭62-179119
  • アッシング方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-348477   Applicant：シャープ株式会社

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