絶縁膜の形成方法および半導体装置の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000271963
Publication number (International publication number)：2001156059
Application date： Sep. 07, 2000
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：

【要約】【課題】熱酸化法に代わる低温酸化による絶縁膜の形成方法とこれを利用した半導体装置の製造方法とを提供する。【解決手段】処理室であるチャンバー1内を酸素を含む雰囲気にして、ウエハー4を室温,180°C程度の低温に保持して、チャンバー1内にプラズマを発生し、バイアス電極3によってこのプラズマにウエハー4側へのバイアスを付加し、プラズマをウエハー4に照射する。ウエハー4上の露出している半導体層が酸化されて、酸化膜が形成される。熱酸化法とは異なり、室温でも酸化膜が形成できる。フォトレジスト膜の洗浄によってエッチングされた注入保護絶縁膜の修復、ポリシリコン膜の段差の緩和,トレンチ内の段差の緩和などに利用できる。また、金属を含むゲート電極形成後のフォトレジスト膜の除去前に、フォトレジスト膜を付けたままで酸化による汚染保護膜を形成することもできる。

Claim (excerpt)：

半導体層を有する基板を処理室内に設置するステップ(a)と、上記処理室を酸素を含む雰囲気に維持した状態で、処理室内に上記基板方向へのバイアスが付加されたプラズマを発生させて、上記半導体層にバイアスが付加されたプラズマを照射するステップ(b)とを含み、上記基板の露出している半導体層の上に、少なくとも酸素と半導体との反応による絶縁膜を形成することを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 , H01L 21/76 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/78

FI (4)：

H01L 21/316 A , H01L 21/76 L , H01L 27/08 321 D , H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

MOS特性を発現する極薄シリコン酸化膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-282413 Applicant：科学技術庁金属材料技術研究所長
液晶表示用TFTアレイ基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-275301 Applicant：松下電器産業株式会社
多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-264160 Applicant：株式会社金星社, 韓国科学技術院

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