半導体集積回路装置の製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004049195
Publication number (International publication number)：2004193627
Application date： Feb. 25, 2004
Publication date： Jul. 08, 2004
Summary：

【課題】有機シロキサンを主成分とする絶縁膜にエッチング処理によって凹部を形成する際に、凹部の底部に異常形状が形成されるのを抑制する。【解決手段】層間絶縁膜を構成する有機シロキサンを主成分とする有機絶縁膜2に形成された溝や孔等のような凹部4内に導体膜を埋め込むことで埋込配線構造を構成する半導体集積回路装置の製造方法において、有機絶縁膜2上にフォトレジスト膜3を形成した後、そのフォトレジスト膜3をエッチングマスクとして有機絶縁膜2に溝や孔等のような凹部4を形成する際に、その凹部4の底部に異常形状が形成されるのを抑制するために、CF系のガス/N2/Arガスを用いたプラズマドライエッチング処理を施すことにより凹部4を形成した。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

以下の工程を含み、埋込配線を有する半導体集積回路装置の製造方法; (a)半導体集積回路基板の第1主面上に、前記埋込配線を構成する第1の絶縁膜を形成する工程; (b)前記第1の絶縁膜上に、前記埋込配線を形成するための有機シロキサンを主成分とする第2の絶縁膜を形成する工程; (c)前記第2の絶縁膜上にパターニングされたマスキング層を形成する工程; (d)前記マスキング層が有る状態で、フロロカーボンガスを含むエッチングガスおよび窒素ガスを含む第1のガス雰囲気中において、前記第2の絶縁膜に対して第1のプラズマエッチング処理を施すことにより、前記第2の絶縁膜に第1の凹部を形成して、前記第1の絶縁膜を露出させる工程。

IPC (3)：

H01L21/768 , H01L21/3065 , H01L21/3205

FI (3)：

H01L21/90 S , H01L21/88 K , H01L21/302 301

F-Term (55)：

5F004AA05 , 5F004DA00 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB24 , 5F004EA23 , 5F004EA28 , 5F004EB03 , 5F033HH08 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK11 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ04 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ12 , 5F033QQ13 , 5F033QQ15 , 5F033QQ21 , 5F033QQ25 , 5F033QQ27 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR25 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033TT04 , 5F033WW04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

多層配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-089083 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-005833 Applicant：富士通株式会社
配線形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-106648 Applicant：株式会社日立製作所, 東京応化工業株式会社

Show all

Return to Previous Page