レジストパターン微細化用被覆形成剤及びそれを用いた微細レジストパターン形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：阿形明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001302555
Publication number (International publication number)：2003084460
Application date： Sep. 28, 2001
Publication date： Mar. 19, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】ホトレジストを用いて形成されたレジストパターンを熱収縮させて、微細レジストパターンを形成する際に、熱処理により、レジストパターンを円滑に熱収縮させることができると共に、レジストパターンの熱処理後に水洗により容易に除去し得るレジストパターン微細化用被覆形成剤、及びこのものを用いて効率よく微細レジストパターンを形成させる方法を提供する。【解決手段】 (A)ビニルピロリドンと、(B)(A)成分以外の水溶性ビニル化合物の中から選ばれた少なくとも1種のモノマーとの共重合体を含む水溶液からなる被覆形成剤であって、基板上にレジストパターンを形成する工程、このレジストパターンの全面又は一部に水溶性樹脂被膜を設ける工程、前記基板を熱処理してレジストパターン間の距離を接近させる工程及び前記水溶性樹脂被膜を水洗除去する工程からなる微細パターン形成方法。

Claim (excerpt)：

(A)ビニルピロリドンと、(B)(A)成分以外の水溶性ビニル化合物の中から選ばれた少なくとも1種のモノマーとの共重合体を含む水溶液からなるレジストパターン微細化用被覆形成剤。

IPC (2)：

G03F 7/40 511 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/40 511 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 575

F-Term (7)：

2H096AA25 , 2H096EA04 , 2H096HA01 , 2H096JA04 , 2H096LA30 , 5F046JA22 , 5F046NA19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-080940 Applicant：三菱電機株式会社
水溶性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-182778 Applicant：クラリアントインターナショナルリミテッド
パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-284682 Applicant：クラリアントジャパン株式会社

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