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J-GLOBAL ID：200903032278175183

III族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶成長装置

Inventor：
皿山 正二

About 皿山 正二


Applicant, Patent owner：
株式会社リコー

About 株式会社リコー


Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001134171
Publication number (International publication number)：2002326898
Application date： May. 01, 2001
Publication date： Nov. 12, 2002
Summary：
【要約】【課題】 高性能の発光ダイオードやLD等のデバイスを作製するために実用的な大きさで、かつ、低コスト,高品質のIII族窒化物結晶を成長させることの可能なIII族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶成長装置を提供する。【解決手段】 混合融液保持容器102には、III族金属としてのGaとアルカリ金属としてのNaとから構成される混合融液103が収容されている。ここで、Naの純度が99%、Gaの純度が99.9999%、窒素ガスの純度が99.999%、混合融液保持容器102の材質が焼結体のBNの場合には、固体物110は一部に穴111が開いたような形状となる。その穴111を通して窒素が混合融液103中に溶け込むことにより、混合融液103中に、III族窒化物としてのGaNの単結晶109を結晶成長させることができる。
Claim (excerpt)：
所定の容器内において、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質との混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素から構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長方法であって、混合融液の表面を混合融液内に窒素が導入可能な状態にして、III族窒化物を成長させることを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。
IPC (4)：
C30B 29/38 ,  C30B 9/00 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (4)：
C30B 29/38 D ,  C30B 9/00 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610
F-Term (21)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077CC06 ,  4G077EA06 ,  4G077EC07 ,  4G077EG02 ,  5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041CA63 ,  5F041FF11 ,  5F041FF13 ,  5F073BA06 ,  5F073BA09 ,  5F073CA01 ,  5F073CB02 ,  5F073DA02 ,  5F073DA04 ,  5F073DA06 ,  5F073DA35
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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