強磁性トンネル接合素子の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999272752
Publication number (International publication number)：2000091668
Application date： Aug. 04, 1997
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】高品質のトンネルバリア層を制御良く形成することによって、磁気ヘッドや磁気メモリに必要な低抵抗値及び高電流密度の強磁性トンネル接合素子を得る。【解決手段】 (a)第1の強磁性層11、導電層12を真空中で連続形成し、(b)真空を破ることなく純酸素を導入し、導電層12の表面を自然酸化してトンネルバリア層13を形成し、(c)酸素を排気した後、第2の強磁性層14を成膜して基本構造を完成させる強磁性トンネル接合素子の製造方法。

Claim (excerpt)：

第1の強磁性層と第2の強磁性層の間にトンネルバリア層を挟んだ構造を持つ強磁性トンネル接合素子の製造方法において、真空中で金属又は半導体からなる導電層を成膜した後、純酸素を導入し、該導電層表面を自然酸化してトンネルバリア層を形成する工程を含むことを特徴とする強磁性トンネル接合素子の製造方法。

IPC (4)：

H01L 43/08 , G11B 5/39 , H01F 10/30 , H01F 41/20

FI (4)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/30 , H01F 41/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

磁気抵抗センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-319003 Applicant：富士通株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-234797 Applicant：富士通株式会社
アモルフアス金属の形成方法及びアモルフアス金属膜を有する半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-259425 Applicant：ソニー株式会社

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