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J-GLOBAL ID：200903032483575917
波長変換素子および波長変換素子駆動装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006188398
Publication number (International publication number)：2008015360
Application date： Jul. 07, 2006
Publication date： Jan. 24, 2008
Summary：
【課題】消費電力が小さく、波長の変換効率を高めることが可能な波長変換素子および波長変換素子駆動装置を提供する。【解決手段】活性層2は、InGaAsPから構成される量子井戸構造を有し、可飽和吸収領域4と、光増幅領域5,6とを含む。光増幅領域5,6には、p電極11,12を介して電流がそれぞれ注入される。可飽和吸収領域4には、p電極10を介して、光増幅領域5,6とは独立に電圧が印加される。入射面7から入射される入力光Pinは、「1」または「0」の2値の光強度からなる光信号に白色雑音の雑音光を付加して生成されている。可飽和吸収領域4および光増幅領域5,6は、波長変換素子1が双安定状態の半導体レーザとなる条件で構成されている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
光信号の波長を変換する波長変換素子であって、
光増幅領域および可飽和吸収領域を含む活性層と、
電流が注入されおよび/または電圧が印加される第1の極性の電極と、
前記第1の極性の電極に対して設けられる第2の電極とを備え、
前記第1の極性の電極および前記第2の極性の電極の少なくとも一方は、前記光増幅領域と前記可飽和吸収領域とに対して独立に電流を注入できるように分割され、
前記光増幅領域に注入される注入電流の強度は、前記出力光の振幅が増大し前記光信号のビットエラーレートが低減するように調整され、
前記可飽和吸収領域に印加される印加電圧の強度は、前記出力光の振幅が増大し前記光信号のビットエラーレートが低減するように調整され、
前記活性層は、前記光信号を含む入力光を受けて、前記入力光の波長が変換され振幅が増幅された出力光を出射する、波長変換素子。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (7)：
2K002AA02
, 2K002AB12
, 2K002BA01
, 2K002CA13
, 2K002DA03
, 2K002GA07
, 2K002HA30
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (7)
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