半導体レーザ装置およびその製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：木村高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995146260
Publication number (International publication number)：1996340148
Application date： Jun. 13, 1995
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：

【要約】【目的】導波路損失が小さくかつ電流狭窄層によるレーザ光の吸収がなく、高効率の半導体レーザ装置を提供する。【構成】電流狭窄層6を酸化されにくい材料系からなる超格子で構成するとともに導波路層4も超格子で構成し、電流狭窄層6の実効的な禁制帯幅がクラッド層7のそれよりも大きくなるように構成するとともに導波路層4の実効的な禁制帯幅がクラッド層7の禁制体幅よりも小さくなるように構成したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板上に、第1導電型のクラッド層と、少なくとも1つの量子井戸構造をもつ量子井戸活性層を備えた超格子層からなる導波路層と、第2導電型のクラッド層と、第2導電型のコンタクト層とが順次積層されてなる内部ストライプ型の半導体レーザ装置において、前記導波路層上の一部に超格子層からなる電流狭窄層を配設し、前記量子井戸活性層の禁制帯幅をEg1,前記導波路層の実効的な禁制帯幅をEg2,前記電流狭窄層の実効的な禁制帯幅をEg3、クラッド層の禁制帯幅をEg4としたとき、Eg3>Eg4≧Eg2≧Eg1の関係をみたすように前記超格子層の材料および膜厚を各々設定したことを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

超格子層を用いた半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-260414 Applicant：国際電信電話株式会社
量子井戸型半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-116782 Applicant：三菱電機株式会社
多重量子障壁構造,及び可視光半導体レーザダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-294861 Applicant：三菱電機株式会社

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