プラズマCVD装置及び成膜方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：木村満
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007325296
Publication number (International publication number)：2008255467
Application date： Dec. 17, 2007
Publication date： Oct. 23, 2008
Summary：

【課題】直流プラズマCVD装置において、良好に成膜する。【解決手段】内周に等間隔に複数の噴出口を持つリングノズル22を、チャンバー10内の陽極11aと陰極13と間にできる陽光柱PCの最高点よりも高く、陰極13の上端面よりも低い位置に配置し、リングノズル22から反応ガスを水平に噴出させる。また、陽極11aを載置したステージ11の周りに均等に配置された排気用管路20から反応ガスを排気する。これにより、反応ガスが基板1の表面に均等に供給され、良好に成膜できる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

反応槽内に配置され、基板が載置される第1の電極と、前記第1の電極の上方で前記第1の電極と対向し、前記第1の電極との間でプラズマを発生させる第2の電極と、前記反応槽内の前記第1の電極の高さと前記第2の電極の高さの間の高さに配置され、且つ前記第1の電極及び前記第2の電極の間のプラズマの発生する領域を囲むように配置された複数の噴出口が形成された第1のガス導入ノズルと、を備えることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (4)：

C23C 16/455 , H01L 21/205 , C23C 16/509 , C23C 16/44

FI (4)：

C23C16/455 , H01L21/205 , C23C16/509 , C23C16/44 E

F-Term (24)：

4K030AA10 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030BA27 , 4K030CA02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA05 , 4K030EA06 , 4K030EA11 , 4K030FA03 , 4K030KA14 , 4K030LA01 , 5F045AA08 , 5F045AB07 , 5F045AC07 , 5F045AC16 , 5F045AF03 , 5F045AF10 , 5F045BB02 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EF03 , 5F045EF04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特許第2628404号公報
特開平1-94615号公報

Cited by examiner (5)

特開平3-087373
成膜方法及び成膜装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-304483 Applicant：ソニー株式会社
ガス処理装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-153528 Applicant：株式会社ルネサステクノロジ

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