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J-GLOBAL ID:200903032654642871

放電プラズマ処理装置及びそれを用いる放電プラズマ処理方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001329374
Publication number (International publication number):2003133291
Application date: Oct. 26, 2001
Publication date: May. 09, 2003
Summary:
【要約】【課題】 平行平板型電極間の端部での異常放電を抑制し、基材上に形成される薄膜等に影響を与えない放電プラズマ処理装置及びそれを用いた放電プラズマ処理方法の提供。【解決手段】 対向面が固体誘電体で被覆された対向電極間に電界を印加することによって発生するグロー放電プラズマを基材に接触させて処理を行う放電プラズマ処理装置であって、前記固体誘電体として、誘電率10以上の高誘電率固体誘電体と誘電率10未満の低誘電率固体誘電体を用い、前記低誘電率固体誘電体が電極端部に配置されることを特徴とする放電プラズマ処理装置。
Claim (excerpt):
対向面が固体誘電体で被覆された対向電極間に電界を印加することによって発生するグロー放電プラズマを基材に接触させて処理を行う放電プラズマ処理装置であって、前記固体誘電体として、誘電率10以上の高誘電率固体誘電体と誘電率10未満の低誘電率固体誘電体を用い、前記低誘電率固体誘電体が電極端部に配置されることを特徴とする放電プラズマ処理装置。
IPC (3):
H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  H05H 1/24
FI (3):
B01J 19/08 H ,  H05H 1/24 ,  H01L 21/302 A
F-Term (15):
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BA05 ,  4G075BC04 ,  4G075CA16 ,  4G075DA02 ,  4G075DA18 ,  4G075EB42 ,  4G075EC21 ,  4G075EE23 ,  4G075FC15 ,  5F004AA08 ,  5F004BA06 ,  5F004BB29 ,  5F004CA02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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