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J-GLOBAL ID：200903032764528837

A/D変換回路を内蔵した半導体集積回路および通信用半導体集積回路

Inventor：
工藤 純也

About 工藤 純也

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矢萩 孝一

About 矢萩 孝一

, 
松浦 達治

About 松浦 達治


Applicant, Patent owner：
株式会社ルネサステクノロジ

About 株式会社ルネサステクノロジ


Agent (1)： 大日方 富雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004219827
Publication number (International publication number)：2006041992
Application date： Jul. 28, 2004
Publication date： Feb. 09, 2006
Summary：
【課題】 A/D変換回路を半導体チップに内蔵させる場合に基準電圧を生成する基準電圧生成回路の出力端子に接続する安定化容量の容量値を減らし、チップに内蔵させることができ、外部端子数の増加、チップサイズの増大を回避することが可能なA/D変換回路を内蔵した半導体集積回路を提供する。【解決手段】 ローカルA/D変換回路(15)とローカルD/A変換回路(17,18)を有するA/D変換回路を内蔵した半導体集積回路において、ローカルA/D変換回路に必要な基準電圧を生成する基準電圧生成回路(21a,21b,21c)とローカルD/A変換回路に必要な基準電圧を生成する基準電圧生成回路(22a,22b,22c)とを別個に設けるようにした。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
ローカルA/D変換回路とローカルD/A変換回路とを備えたA/D変換回路を内蔵した半導体集積回路であって、前記ローカルA/D変換回路で使用される基準電圧を生成する第1基準電圧生成回路と、前記ローカルD/A変換回路で使用される基準電圧を生成する第2基準電圧生成回路とが別個に設けられていることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (4)：
H03M 3/02 ,  H03M 1/14 ,  H03M 1/36 ,  H03M 1/76
FI (4)：
H03M3/02 ,  H03M1/14 A ,  H03M1/36 ,  H03M1/76
F-Term (27)：
5J022AA06 ,  5J022AA15 ,  5J022AB05 ,  5J022BA01 ,  5J022BA06 ,  5J022CA07 ,  5J022CA10 ,  5J022CB01 ,  5J022CB06 ,  5J022CD03 ,  5J022CF01 ,  5J022CF02 ,  5J022CF03 ,  5J064AA01 ,  5J064AA04 ,  5J064BA03 ,  5J064BC00 ,  5J064BC02 ,  5J064BC06 ,  5J064BC07 ,  5J064BC08 ,  5J064BC10 ,  5J064BC13 ,  5J064BC14 ,  5J064BC16 ,  5J064BC19 ,  5J064BD02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (10)
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Cited by examiner (9)
  • フラッシュ型アナログ/ディジタル変換回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-250997   Applicant：松下電器産業株式会社
  • シグマ-デルタアナログ-デジタル変換器を有する受信機
    Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-524869   Applicant：クゥアルコム・インコーポレイテッド
  • D/A変換器
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-042010   Applicant：株式会社日立製作所
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