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J-GLOBAL ID：200903032867451158

半導体装置、光学装置用モジュール及び半導体装置の製造方法

Inventor： 小野 敦 ,  藤原 紀人
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (2)： 河野 登夫 ,  河野 英仁
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004016296
Publication number (International publication number)：2005209967
Application date： Jan. 23, 2004
Publication date： Aug. 04, 2005
Summary：

【課題】 蓋部材の傾斜、蓋部材による半導体基板又は半導体基板に設けられている各部の破損、及び製造時の半導体基板の破損を防止できる半導体装置、光学装置用モジュール及び半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板1の表面に撮像素子12及びマイクロレンズ部13が形成され、半導体基板1を貫通する貫通電極3,3,...が形成され、表面からガラスリッド11側へ突出する突起部3a,3a,...が貫通電極3,3,...上にマイクロレンズ部13の厚さより厚く形成され、突起部3a,3a,...が半導体基板1とガラスリッド11との間に介在している。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

半導体素子が一面に形成され、該一面及び他面を貫通する貫通電極が形成された半導体基板と、前記半導体素子を覆い、前記半導体基板に装着された蓋部材とを備える半導体装置において、 前記一面から蓋部材側へ突出する突起部が前記半導体基板に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L27/14 ,  H01L23/02 ,  H04N5/335

FI (4)：

H01L27/14 D ,  H01L23/02 F ,  H04N5/335 U ,  H04N5/335 V

F-Term (16)：

4M118AA09 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118FA06 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  4M118HA02 ,  4M118HA31 ,  4M118HA33 ,  5C024AX01 ,  5C024CY47 ,  5C024CY48 ,  5C024EX21 ,  5C024EX43

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 受光センサーの実装構造体およびその使用方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-173845   Applicant：キヤノン株式会社
• 光素子及びその製造方法並びに電子機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-165017   Applicant：セイコーエプソン株式会社

Cited by examiner (5)

• 受光センサーの実装構造体およびその使用方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-173845   Applicant：キヤノン株式会社
• 光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-322659   Applicant：京セラ株式会社
• 電子部品パッケージ用リッド基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-028565   Applicant：日本特殊陶業株式会社
• 固体撮像装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-134543   Applicant：富士フイルムマイクロデバイス株式会社, 富士写真フイルム株式会社
• 固体撮像装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-110071   Applicant：ソニー株式会社