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J-GLOBAL ID：200903032910722357

半導体装置

Inventor：
岩上 信一

About 岩上 信一

, 
町田 修

About 町田 修


Applicant, Patent owner：
サンケン電気株式会社

About サンケン電気株式会社


Agent (1)： 高野 則次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004020218
Publication number (International publication number)：2005217049
Application date： Jan. 28, 2004
Publication date： Aug. 11, 2005
Summary：
【課題】GaN系半導体が使用されている半導体装置の高耐圧化が困難であった。【解決手段】 半導体装置はシリコン基板1とバッファ領域2と半導体素子を形成するための主半導体領域3とを有する。主半導体領域3の主面にソース電極4、ドレイン電極5及びゲート電極6が形成されている。シリコン基板1の裏面に裏面電極7が形成されている。シリコン基板1はp型半導体領域1Pとn型半導体領域1nとを有する。シリコン基板1のpn接合によってドレイン電極5と裏面電極7との間の耐圧が向上する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
シリコン又はシリコン化合物から成る基板と、 前記基板の一方の主面上に配置された少なくとも1つの窒化物半導体層を含んでいる主半導体領域と、 前記主半導体領域の表面上に配置された少なくとも第1及び第2の主電極と を備えた半導体装置であって、 前記基板がpn接合を含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (2)：
H01L29/80 H ,  H01L29/80 B
F-Term (15)：
5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC21
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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