半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高野則次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004020218
Publication number (International publication number)：2005217049
Application date： Jan. 28, 2004
Publication date： Aug. 11, 2005
Summary：

【課題】GaN系半導体が使用されている半導体装置の高耐圧化が困難であった。【解決手段】半導体装置はシリコン基板1とバッファ領域2と半導体素子を形成するための主半導体領域3とを有する。主半導体領域3の主面にソース電極4、ドレイン電極5及びゲート電極6が形成されている。シリコン基板1の裏面に裏面電極7が形成されている。シリコン基板1はp型半導体領域1Pとn型半導体領域1nとを有する。シリコン基板1のpn接合によってドレイン電極5と裏面電極7との間の耐圧が向上する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

シリコン又はシリコン化合物から成る基板と、前記基板の一方の主面上に配置された少なくとも1つの窒化物半導体層を含んでいる主半導体領域と、前記主半導体領域の表面上に配置された少なくとも第1及び第2の主電極とを備えた半導体装置であって、前記基板がpn接合を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812

FI (2)：

H01L29/80 H , H01L29/80 B

F-Term (15)：

5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GB02 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GR07 , 5F102HC01 , 5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-248735 Applicant：サンケン電気株式会社

Cited by examiner (5)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-248735 Applicant：サンケン電気株式会社
ショットキー接合形FET
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-207350 Applicant：沖電気工業株式会社
GaN電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-347307 Applicant：日本電信電話株式会社

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