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J-GLOBAL ID：200903032928006586

半導体レーザ素子及びその製造方法

Inventor： 大櫃 義徳 ,  宮嵜 啓介 ,  藤井 良久
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000194277
Publication number (International publication number)：2001144383
Application date： Jun. 28, 2000
Publication date： May. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】 再成長時にp型クラッド層の不純物が拡散し、n型に反転してしまい、プロファイルが一定しない。【解決手段】 n型の半導体基板上に、少なくとも、n型の第1クラッド層と、活性層と、p型の第2クラッド層とが積層され、上記第2クラッド層上に、ストライプ状かつ溝状の欠損部を有するn型の電流阻止層が積層され、上記ストライプ状の欠損部を含む上記電流阻止層上に少なくともp型の第3クラッド層が形成された半導体レーザ素子であって、上記第2クラッド層はCの不純物濃度がp型の3×1017cm-3〜2×1018cm-3であることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

n型の半導体基板上に、少なくとも、n型の第1クラッド層と、活性層と、p型の第2クラッド層とが積層された半導体レーザ素子であって、上記第2クラッド層はp型不純物として炭素を2×1017cm-3〜2×1018cm-3の濃度で含んでいることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/205

F-Term (22)：

5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AD11 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA59 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073BA04 ,  5F073CA05 ,  5F073CB02 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA15 ,  5F073DA22 ,  5F073DA31 ,  5F073DA35 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-357206   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体レーザ装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-224149   Applicant：シャープ株式会社
• AlGaAs系半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-141439   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体レーザ素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-351928   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平3-110829
  
• 有機金属気相成長法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-299366   Applicant：古河電気工業株式会社
• 炭素添加化合物半導体結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-271907   Applicant：日本電信電話株式会社
• 特開昭57-092526