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J-GLOBAL ID：200903032967183738

発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子とその製造方法

Inventor：
佐藤 慶介

About 佐藤 慶介

, 
平栗 健二

About 平栗 健二

, 
松本 哲矢

About 松本 哲矢


Applicant, Patent owner：
学校法人東京電機大学

About 学校法人東京電機大学


Agent (5)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  亀松 宏 ,  永坂 友康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006071644
Publication number (International publication number)：2007246329
Application date： Mar. 15, 2006
Publication date： Sep. 27, 2007
Summary：
【課題】高輝度でかつ安定的に蛍光発光する劣化防止保護膜を被覆した発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子と、その製造方法を提供する。【解決手段】紫外光線又は可視光線を照射することにより蛍光発光する粒子サイズ3.5nm以下のナノシリコン粒子を劣化防止保護膜で被覆したことを特徴とする発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子であり、基板上に塗布したナノシリコン粒子の表面に、高周波プラズマCVD法により、劣化防止保護膜を被覆して製造する。【選択図】図5
Claim (excerpt)：
紫外光線又は可視光線を照射することにより蛍光発光する粒子サイズ3.5nm以下のナノシリコン粒子を劣化防止保護膜で被覆したことを特徴とする発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子。
IPC (5)：
C01B 33/02 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/505 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/59
FI (5)：
C01B33/02 Z ,  C23C16/27 ,  C23C16/505 ,  C09K11/08 G ,  C09K11/59
F-Term (25)：
4G072AA41 ,  4G072BB05 ,  4G072DD07 ,  4G072GG02 ,  4G072GG03 ,  4G072HH14 ,  4G072JJ02 ,  4G072LL11 ,  4G072NN13 ,  4G072RR25 ,  4G072TT30 ,  4G072UU03 ,  4H001CA02 ,  4H001CC01 ,  4H001CC09 ,  4H001XA14 ,  4K030AA10 ,  4K030BA27 ,  4K030BA28 ,  4K030CA04 ,  4K030CA18 ,  4K030FA01 ,  4K030JA18 ,  4K030LA18 ,  4K030LA24
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (6)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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