コンタクトホール形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：秋元輝雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997263612
Publication number (International publication number)：1998189731
Application date： Sep. 29, 1997
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】通常の紫外線I-lineを使用して形成したコンタクトホールよりも更に小さい直径を備えるコンタクトホールの形成方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に非導電膜およびパターニングされたフォトレジスト膜を形成し、非導電膜およびフォトレジスト膜上に均一に重合物膜を堆積してから、重合物膜をエッチングすることによりフォトレジスト膜上に重合物スペーサーを形成し、かつ、この重合物スペーサーをマスクとして非導電膜を半導体基板までエッチング除去してホール(例えば、コンタクトホール、ラインピッチ、トレンチ)を形成するとともに、同一の反応条件において堆積およびドライエッチング工程を実施することができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上を非導電膜で覆うステップと、前記した非導電膜上にフォトレジスト膜のパターンを堆積形成して、形成しようとするホール部分の所定面積を露出させるステップと、重合物膜を堆積して前記フォトレジスト膜およびホール部分の所定面積を覆うステップと、前記した重合物膜を異方性エッチングして、前記フォトレジスト膜の側壁上に重合物スペーサーを形成するステップと、前記した非導電膜を前記した半導体基板が露出するまでエッチングして前記ホールを形成するステップとを具備する、同一な反応条件においてフォトレジスト膜の側壁上に重合物スペーサーを形成してホールを完成する方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 , H01L 21/28

FI (2)：

H01L 21/90 C , H01L 21/28 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-260709 Applicant：広島日本電気株式会社
配線形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-290493 Applicant：ソニー株式会社
特開平4-213821

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