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J-GLOBAL ID:200903033012663618
スパッタリング装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
西田 新
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995127697
Publication number (International publication number):1996325727
Application date: May. 26, 1995
Publication date: Dec. 10, 1996
Summary:
【要約】【目的】 低ガス圧、低エネルギーで高品質の成膜が得られ、しかも一度に大面積の素材表面に効率良く成膜できるのみならず、導電性を有する薄膜をも良好に成膜し得るスパッタリング装置を提供する。【構成】 真空室2の壁面に同室内に向けて一面を露出させた状態でターゲット5を設け、このターゲット5における真空室外側の面に極性の異なる複数の永久磁石6を同心状に配置する。また、真空室2内に露出したターゲット面を取り囲むようにその周囲にマイクロ波導入室8を設けて、同室の内側周壁をスロットアンテナ16によって構成し、同アンテナ16よりマイクロ波導入室8とその内側の電磁共鳴室7とを区画する一方、導波管9とマイクロ波導入室8とを同軸管17およびアンテナ18、19で接続する。そして、マグネトロン13により発生させたマイクロ波を導波管9、アンテナ18、同軸管17、アンテナ19、マイクロ波導入室8、スロットアンテナ16を介してターゲット5の周囲から電磁共鳴室7内に均一に導入することにより、基板10に対するスパッタリングをアシストする。
Claim (excerpt):
真空室内でスパッタリングを行う際にマイクロ波プラズマを補助的に利用するスパッタリング装置であって、上記真空室の壁面に同室内に向けて一面を露出させた状態で設けられたターゲットと、このターゲットにおける真空室外側の面に同心状に配置された極性の異なる複数の永久磁石と、上記真空室内壁面に設けられて同室内に露出したターゲット面を取り囲む電磁共鳴室と、上記真空室の外部より電磁共鳴室にマイクロ波を供給する導波管または/および同軸管と、上記真空室内における電磁共鳴室の前方にターゲットに対向して配置されてスパッタリングが施される基板を支持する基板支持台とでスパッタリングユニットが構成されているとともに、上記導波管または/および同軸管を介して電磁共鳴室に供給するマイクロ波を発生させるマイクロ波発生手段と、上記ターゲットに電力を供給するスパッタ電源と、上記真空室内に反応性ガスを供給するガス供給手段と、上記真空室を真空状態にする真空手段とを有することを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (3):
C23C 14/35
, C23C 14/08
, H05H 1/46
FI (3):
C23C 14/35 F
, C23C 14/08 D
, H05H 1/46
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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マイクロ波放電反応装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-217361
Applicant:日電アネルバ株式会社
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マイクロ波強化スパッタリング装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-237343
Applicant:レイボルトアクチーエンゲゼルシャフト
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陰極スパッタリングとマイクロ波照射によるプラズマ発生装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-237344
Applicant:レイボルトアクチーエンゲゼルシャフト
-
薄膜形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-269016
Applicant:日新電機株式会社
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