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J-GLOBAL ID：200903033172385762

発光装置

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平

, 
小山 潤

About 小山 潤

, 
長田 麻衣

About 長田 麻衣


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001050583
Publication number (International publication number)：2001318627
Application date： Feb. 26, 2001
Publication date： Nov. 16, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 輝度むらの少ない発光装置を提供する。【解決手段】 複数の電流制御用TFTのドレイン電流をId、移動度をμ、単位面積あたりのゲート容量をC0、最大ゲート電圧をVgs(max)、チャネル幅をW、チャネル長をL、しきい値電圧の平均値をVth、しきい値電圧の平均値からのずれをΔVthとし、前記複数のEL素子の発光輝度の差を±n%以下とすると、であり、またはであることを特徴とする発光装置。
Claim (excerpt)：
複数の画素を有する発光装置であって、前記複数の画素は、複数のスイッチング用TFTと、複数の電流制御用TFTと、複数のEL素子とを有しており、前記複数のスイッチング用TFTを介して前記複数の電流制御用TFTのゲート電極に入力されるビデオ信号によって、前記EL素子の発光輝度が制御されており、前記複数の電流制御用TFTは、活性層と、前記活性層上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極とを有しており、前記活性層はソース領域と、ドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に設けられたチャネル形成領域とを有しており、前記複数の電流制御用TFTの前記EL素子の輝度が最大の時のドレイン電流をId、移動度をμ、単位面積あたりのゲート容量をC0、最大ゲート電圧をVgs(max)、チャネル幅をW、チャネル長をL、しきい値電圧の平均値をVth、しきい値電圧の平均値からのずれをΔVthとし、前記複数のEL素子の発光輝度の差を±n%以下とすると、であることを特徴とする発光装置。
IPC (11)：
G09F 9/30 365 ,  G09F 9/30 338 ,  G09G 3/20 611 ,  G09G 3/20 624 ,  G09G 3/20 680 ,  G09G 3/20 ,  G09G 3/30 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/08 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/14
FI (11)：
G09F 9/30 365 Z ,  G09F 9/30 338 ,  G09G 3/20 611 H ,  G09G 3/20 624 B ,  G09G 3/20 680 A ,  G09G 3/20 680 V ,  G09G 3/30 Z ,  H05B 33/08 ,  H05B 33/12 B ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/78 618 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (12)
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