Pat

J-GLOBAL ID：200903033243927219

窒化ガリウム系化合物半導体装置

Inventor： 酒井 士郎 ,  タオ ワン
Applicant, Patent owner： 酒井 士郎 ,  ナイトライド・セミコンダクター株式会社
Agent (2)： 吉田 研二 ,  石田 純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002209295
Publication number (International publication number)：2004055719
Application date： Jul. 18, 2002
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：

【課題】波長380nm以下において発光効率に優れたLEDを提供する。【解決手段】基板10上にn-クラッド層20、発光層22、p-ブロック層24及びp-クラッド層26を形成する。発光層22として、AlInGaN井戸層/AlGaNバリア層の量子井戸構造を用いる。井戸層及びバリア層の組成や厚さを最適化することで、発光効率が向上する。例えば、n-Al0.2Ga0.8Nバリア層(10nm)/アンドープAl0.1In0.05Ga0.85N井戸層(1.25nm)/アンドープAl0.2Ga0.8Nバリア層からなるSQWを発光層22とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたGaN系発光層を有する窒化ガリウム系化合物半導体装置であって、 前記発光層は、AlInGaN井戸層とAlGaNバリア層を積層した量子井戸層であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体装置。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (1)：

H01L33/00 C

F-Term (15)：

5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA14 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA85 ,  5F041CA87 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F041CB02 ,  5F041FF11 ,  5F041FF16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体発光素子、その製造方法及び光ディスク装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-373224   Applicant：松下電器産業株式会社
• 窒化物半導体発光素子とその発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-366970   Applicant：シャープ株式会社
• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-140760   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体の製造方法、窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体素子、半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-347669   Applicant：松下電器産業株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-345022   Applicant：日亜化学工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Time-resolved photoluminescence of quaternary AlInGaN-based multiple quantum wells