電界効果型トランジスタ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001147526
Publication number (International publication number)：2002343814
Application date： May. 17, 2001
Publication date： Nov. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】InGaPチャネル層を有する電界効果型トランジスタにおいて、大きい電流振幅を可能とし、良好な高出力特性を実現する。【解決手段】n-InGaPチャネル層3を有する電界効果型トランジスタにおいて、ゲート電極8とドレイン電極7との間に半導体結晶の上部に絶縁膜9を介してゲート電極8と接続された電界制御電極10を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、少なくともInGaP層と、前記半導体基板に離間して設けられたソース電極及びドレイン電極と、該ソース電極とドレイン電極との間にゲート電極とが配置された電界効果型トランジスタにおいて、前記InGaP層の一部または全部がチャネル層として機能し、前記ゲート電極とドレイン電極との間に、絶縁膜を介して電界制御電極が配置され、該電界制御電極と前記ゲート電極とが電気的に接続されていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 21/338 , H01L 29/43 , H01L 29/812 , H01L 29/872

FI (3)：

H01L 29/80 F , H01L 29/46 H , H01L 29/48 E

F-Term (40)：

4M104AA04 , 4M104BB11 , 4M104BB14 , 4M104BB28 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD08 , 4M104DD22 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD65 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104FF07 , 4M104FF13 , 4M104FF22 , 4M104FF27 , 4M104GG12 , 4M104HH20 , 5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ05 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GL09 , 5F102GM04 , 5F102GM06 , 5F102GM08 , 5F102GN05 , 5F102GR04 , 5F102GS04 , 5F102GS06 , 5F102GT03 , 5F102GV07 , 5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-065673 Applicant：富士通株式会社
半導体装置及び送受信切り替え型アンテナスイッチ回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-033221 Applicant：沖電気工業株式会社
電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-268394 Applicant：日本電気株式会社

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