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J-GLOBAL ID：200903033604458200

有機半導体素子

Inventor：
夏目 穣

About 夏目 穣


Applicant, Patent owner：
旭化成株式会社

About 旭化成株式会社


Agent (3)： 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003416782
Publication number (International publication number)：2005175386
Application date： Dec. 15, 2003
Publication date： Jun. 30, 2005
Summary：
【課題】 高い移動度を発現させつつ、絶縁膜と半導体界面の表面安定性を向上させることが可能となるとともに、高いオン/オフ比を得る。【解決手段】 ゲート電極2、ゲート絶縁膜3、ソース電極5、ドレイン電極6および有機半導体膜7を基板1上に形成し、比誘電率が4以上であるゲート絶縁層3と有機半導体層7の界面に、比誘電率が1.5以上3.5以下である低誘電率層4を形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
有機半導体層と、 前記有機半導体層に接触するようにして互いに所定間隔だけ隔てて配置されたソース電/ドレイン電極と、 前記有機半導体層に形成されるチャネル領域の位置に対応して配置されたゲート電極と、 前記ゲート電極と前記有機半導体層との間に配置され、比誘電率が4以上のゲート絶縁層と、 前記有機半導体層と前記ゲート絶縁層との間に配置され、比誘電率が1.5以上3.5以下の低誘電率層とを備えることを特徴とする有機半導体素子。
IPC (2)：
H01L29/786 ,  H01L51/00
FI (4)：
H01L29/78 617U ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/28
F-Term (34)：
5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110CC09 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110FF01 ,  5F110FF03 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HM12
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (3)

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