高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：奥山尚一 , 有原幸一 , 松島鉄男 , 河村英文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004144569
Publication number (International publication number)：2005097533
Application date： May. 14, 2004
Publication date： Apr. 14, 2005
Summary：

【課題】解像性が高く、パターン側壁荒れが少なく、実用レベルのエッチング耐性を有し、露光後熱処理の温度の幅に余裕があるレジスト材料のベース樹脂として有用な高分子化合物を提供する。【解決手段】下記一般式(1)〜(3)で示される繰り返し単位をそれぞれ一種類以上含んでなる重量平均分子量1,000〜50,000の高分子化合物、及び該高分子化合物を含んでなるレジスト材料を提供する。また、このレジスト材料を基板上に塗布する工程と、得られた膜を加熱処理する工程と、加熱処理された膜をフォトマスクを介して高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、該露光後に加熱処理する工程と、その後に現像液を用いて現像する工程とを含んでなるパターン形成方法を提供する。【化1】【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)〜(3)で示される繰り返し単位をそれぞれ一種類以上含んでなる重量平均分子量1,000〜50,000の高分子化合物。

IPC (3)：

C08F220/28 , G03F7/039 , H01L21/027

FI (3)：

C08F220/28 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

F-Term (32)：

2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025FA01 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100AL08S , 4J100BA03Q , 4J100BA03R , 4J100BA20P , 4J100BC03R , 4J100BC03S , 4J100BC08P , 4J100BC08Q , 4J100BC09Q , 4J100BC09R , 4J100BC12R , 4J100BC53P , 4J100BC53Q , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-050264 Applicant：富士通株式会社
レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-312722 Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (2)

アクリル系共重合体および感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-375210 Applicant：JSR株式会社
感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-399235 Applicant：ジェイエスアール株式会社

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