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J-GLOBAL ID：200903033838958339

カーボンナノチューブを成長および収集するための方法

Inventor： レサスコ, ダニエル イー. ,  バルザノ, リアンドロ ,  チャン, リアン
Applicant, Patent owner： ザ ボード オブ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ オクラホマ ,  レサスコ, ダニエル イー. ,  バルザノ, リアンドロ ,  チャン, リアン
Agent (3)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008519331
Publication number (International publication number)：2008544939
Application date： Jun. 08, 2006
Publication date： Dec. 11, 2008
Summary：

カーボンナノチューブ、特に、シリコンウェハなどの平坦基板上で単層カーボンナノチューブを直接成長させ、続いて、ナノチューブを重合体フィルムの表面に移行する、またはカーボンナノチューブを平坦基板から別に収集する方法。カーボンナノチューブの形成方法であって、移動可能な支持機構上に平坦基板を配置するステップと、平坦基板に触媒前駆体溶液を適用して触媒平坦基板を形成するステップと、反応器内に触媒平坦基板を配置するステップと、触媒平坦基板上にカーボンナノチューブを生成する条件下で、加熱した炭素含有ガスまたはガス化した液体に触媒平坦基板を曝し、カーボンナノチューブを有する触媒平坦基板を形成するステップとを包含する、方法。

Claim (excerpt)：

カーボンナノチューブの形成方法であって、 移動可能な支持機構上に平坦基板を配置するステップと、 該平坦基板に触媒前駆体溶液を適用して触媒平坦基板を形成するステップと、 反応器内に該触媒平坦基板を配置するステップと、 該触媒平坦基板上にカーボンナノチューブを生成する条件下で、加熱した炭素含有ガスまたはガス化した液体に該触媒平坦基板を曝し、カーボンナノチューブを有する触媒平坦基板を形成するステップと を包含する、方法。

IPC (1)：

C01B 31/02

FI (1)：

C01B31/02 101F

F-Term (21)：

4G146AA12 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AD05 ,  4G146AD22 ,  4G146AD28 ,  4G146AD29 ,  4G146BA08 ,  4G146BA11 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC08 ,  4G146BC23 ,  4G146BC33B ,  4G146BC37B ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4G146DA03 ,  4G146DA26 ,  4G146DA27

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 米国特許第6,333,016号明細書
  
• 米国特許第6,413,487号明細書
  
• 米国特許出願公開第2002/0165091号明細書
  
• 米国特許出願公開第2003/0091496号明細書
  

Cited by examiner (8)

• カーボンナノチューブの連続製造方法および製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-035408   Applicant：東レ株式会社
• 熱化学気相蒸着装置及びこれを用いた炭素ナノチューブの合成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-015874   Applicant：李鉄真, 株式会社日進ナノテック
• カーボンナノチューブの製造方法およびその製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-209197   Applicant：日立造船株式会社
• 炭素ナノチューブを製造する方法および装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-501781   Applicant：ザボードオブリージェンツオブザユニヴァーシティーオブオクラホマ
• 金属粒子からの単層カーボンナノチューブの接触成長
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-574021   Applicant：ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ
• 細長いナノ構造及び関連素子
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-541308   Applicant：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
• 自己集合によるナノ構造含有材料のパターン化された堆積のための方法と装置およびそれに関連する物品
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-507351   Applicant：ザユニバーシティオブノースカロライナアットチャペルヒル
• 一次元炭素ナノ構造体の製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-525501   Applicant：本田技研工業株式会社