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J-GLOBAL ID:200903064285257089

一次元炭素ナノ構造体の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 磯野 道造
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2006525501
Publication number (International publication number):2007504086
Application date: Sep. 02, 2004
Publication date: Mar. 01, 2007
Summary:
炭素ナノ構造体を製造する方法を提供する。蒸着マスクを備える基質上に、有機金属層を蒸着する。マスクを除去すると、有機金属前駆体のマスク上に蒸着した部分も除去される。有機金属層の残った部分を酸化し、炭素ナノ構造体の合成に用いることのできる金属成長触媒を基質上に得る。
Claim (excerpt):
蒸着マスクを備える基質を設け; 有機金属層の少なくとも一部分が前記基質の非マスク部分に蒸着するように前記基質上に有機金属層を蒸着し; 前記基質から前記蒸着マスクを除去し; 前記基質の非マスク部分に蒸着した有機金属層の部分を酸化して前記基質上に成長触媒を形成し;そして 前記基質を炭素前駆ガスに蒸着温度で触れさせて炭素ナノ構造体を形成する ことを含む、炭素ナノ構造体を合成する方法。
IPC (2):
C01B 31/02 ,  D01F 9/127
FI (2):
C01B31/02 101F ,  D01F9/127
F-Term (27):
4G146AA11 ,  4G146AA12 ,  4G146BA09 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC26 ,  4G146BC31B ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146BC37A ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  4G146BC47 ,  4G146DA03 ,  4L037CS03 ,  4L037FA02 ,  4L037PA05 ,  4L037PA06 ,  4L037PA07 ,  4L037PA10 ,  4L037UA02 ,  4L037UA09
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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