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J-GLOBAL ID:200903033849914279
露光方法及び露光装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (2):
須田 篤
, 楠 修二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006273326
Publication number (International publication number):2008091793
Application date: Oct. 04, 2006
Publication date: Apr. 17, 2008
Summary:
【課題】表面に凹凸のある立体サンプルにパターニングを行うに際して、サンプル内の場所に応じて部分的に、入射角度、偏光方向、露光量などの条件の最適化が可能な露光方法及び露光装置を提供する。【解決手段】表面に凹凸のある立体サンプル1にリソグラフィー加工を行う際に、レジストを塗布してパターニングを行う露光工程において、入射光2を立体サンプル1の基板面の法線方向に対して、10°以上60°以下の範囲で傾斜させて露光する。このとき、立体サンプル1内の場所に応じて部分的に露光量を変えてもよい。また、偏光方向4を制御した入射光2を使用してもよい。【選択図】図1
Claim (excerpt):
表面に凹凸のある立体サンプルにリソグラフィー加工を行う際に、レジストを塗布してパターニングを行う露光工程において、入射光をサンプルの基板面の法線方向に対して、10°以上60°以下の範囲で傾斜させて露光することを、特徴とする露光方法。
IPC (2):
FI (2):
H01L21/30 509
, G03F7/20 521
F-Term (3):
5F046BA02
, 5F046CB17
, 5F046CC01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (12)
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特開昭56-133873
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特開昭56-114326
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照射角度を変えられるプロキシミティ露光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-213266
Applicant:ウシオ電機株式会社
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斜めから光を照射するプロキシミティ露光方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-289041
Applicant:ウシオ電機株式会社
-
露光装置および露光方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-072403
Applicant:ソニー株式会社
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半導体ウェハを露光する方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2002-541450
Applicant:インフィネオンテクノロジースエスシー300ゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングウントコンパニーコマンディートゲゼルシャフト
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投影露光装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-023744
Applicant:三菱電機株式会社
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X線露光用マスク
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-074736
Applicant:日本電信電話株式会社
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特開平2-069604
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-360599
Applicant:シャープ株式会社
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半導体装置と半導体装置の製造方法およびそれに用いるレジストパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-226790
Applicant:三菱電機株式会社
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特公昭44-032754
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