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J-GLOBAL ID：200903033859246509

III族窒化物半導体薄膜およびその製造方法並びににIII族窒化物半導体発光素子

Inventor： 酒井 士郎 ,  崔洛俊 ,  直井 美貴
Applicant, Patent owner： 国立大学法人徳島大学 ,  三星電機株式会社
Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005250185
Publication number (International publication number)：2007067114
Application date： Aug. 30, 2005
Publication date： Mar. 15, 2007
Summary：

【課題】より高品質のIII族窒化物半導体薄膜およびそれを用いたIII族窒化物半導体発光素子を提供すること。【解決手段】(1-102)面(いわゆるr面)のサファイア基板110上に、AlInNからなるバッファ層120をMOCVD装置を用いて、常圧のもとで基板温度が850°C〜950°Cの範囲となるように制御しつつ形成し、該バッファ層120上にGaNやAlGaN等のGaN系化合物を高温でエピタキシャル成長する。これによりIII族窒化物半導体薄膜を得る。また、そのIII族窒化物半導体薄膜を基板としてIII族窒化物半導体発光素子を作成する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

(1-102)面のサファイア基板と、 前記サファイア基板上に位置し、AlInNからなるバッファ層と、 前記バッファ層上に位置し、III族窒化物からなるエピタキシャル成長層と、 を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体薄膜。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (2)：

H01L33/00 C ,  H01S5/323 610

F-Term (17)：

5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F173AF25 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP05 ,  5F173AP24 ,  5F173AQ20 ,  5F173AR81 ,  5F173AR93

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• III 族窒化物半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-055590   Applicant：富士電機株式会社
• 窒化炭素単結晶膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-036075   Applicant：住友電気工業株式会社

Cited by examiner (2)

• 光半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-265311   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 化合物半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-022685   Applicant：信越半導体株式会社