Pat
J-GLOBAL ID：200903033943008915

ラマンシフトパルスレーザ蒸着による薄膜の作製方法及びその装置

Inventor：
武藤 八三

About 武藤 八三

, 
楠森 毅

About 楠森 毅


Applicant, Patent owner：
工業技術院長

About 工業技術院長


Agent (1)： 工業技術院名古屋工業技術研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998296145
Publication number (International publication number)：2000109971
Application date： Oct. 02, 1998
Publication date： Apr. 18, 2000
Summary：
【要約】【課題】 ラマンシフトパルスレーザ蒸着による薄膜の作製方法及びその装置を提供する。【解決手段】 高い基準分子振動数を持つ物質に紫外線パルスレーザ光を照射して該レーザ光の短波長化を行い、真空紫外線を含み蒸着に充分な出力エネルギーと安定度とを持つラマンシフト化したパルスレーザ光を発生させ、該ラマンシフト真空紫外線を含むパルスレーザ蒸着により、ターゲット物質を蒸発させて基板上に該物質の薄膜を作製する方法及びその装置。【効果】 本発明のレーザ蒸着方法は、作製しようとする薄膜の材料や物質の種類に依存しない。即ち、ターゲットさえ作製できれば、無機材料か有機材料かに依存せずに、また、半導体、誘電体、超伝導体、磁性体、伝導体、絶縁体などの金属酸化物系、金属系や化合物系のいずれをも対象にしてその結晶薄膜を作製でき、また、ターゲット位置を順次に変えさえすれば高品質の多層積層薄膜を作製することが可能である。
Claim (excerpt)：
高い基準分子振動数を持つ物質に紫外線パルスレーザ光を照射して該レーザ光の短波長化を行い、真空紫外線を含み蒸着に充分な出力エネルギーと安定度とを持つラマンシフト化したパルスレーザ光を発生させ、該ラマンシフト真空紫外線を含むパルスレーザ蒸着により、ターゲット物質を蒸発させて基板上に該物質の薄膜を作製する方法。
IPC (2)：
C23C 14/08 ZAA ,  C23C 14/28
FI (2)：
C23C 14/08 ZAA L ,  C23C 14/28
F-Term (13)：
4K029AA04 ,  4K029AA09 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029BC03 ,  4K029BC04 ,  4K029CA01 ,  4K029DA04 ,  4K029DA08 ,  4K029DB20 ,  4K029FA04 ,  4K029JA03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM