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J-GLOBAL ID:200903034156397544
強誘電体素子およびそれを用いたアクチュエータ、インクジェットヘッドならびにインクジェット記録装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001328841
Publication number (International publication number):2003133605
Application date: Oct. 26, 2001
Publication date: May. 09, 2003
Summary:
【要約】【課題】 強誘電体膜の絶縁性向上とともに信頼性および耐圧性の向上を図ることのできる強誘電体素子を得る。【解決手段】 共通電極11と、共通電極11上に形成された強誘電体機能膜10と、強誘電体機能膜10上に形成された個別電極3とを有し、強誘電体機能膜10を、強誘電体膜10aおよび当該強誘電体膜10aの構成元素の少なくとも一種類の元素を含む絶縁強化膜10bで構成する。
Claim (excerpt):
第1の電極と、前記第1の電極上に形成された強誘電体機能膜と、前記強誘電体機能膜上に形成された第2の電極とを有し、前記強誘電体機能膜は、強誘電体膜および当該強誘電体膜の構成元素の少なくとも一種類の元素を含む絶縁強化膜から構成されていることを特徴とする強誘電体素子。
IPC (5):
H01L 41/09
, B41J 2/045
, B41J 2/055
, H01L 41/18
, H01L 41/187
FI (5):
H01L 41/08 C
, H01L 41/08 U
, H01L 41/18 101 D
, H01L 41/18 101 Z
, B41J 3/04 103 A
F-Term (9):
2C057AF65
, 2C057AF70
, 2C057AF93
, 2C057AG43
, 2C057AG47
, 2C057AP16
, 2C057AP52
, 2C057BA04
, 2C057BA14
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (12)
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多層酸化物薄膜素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-311900
Applicant:富士ゼロックス株式会社
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強誘電体記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-156456
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
インクジェット記録装置とその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-161836
Applicant:松下電器産業株式会社
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