GaN化合物半導体基板のメカノケミカル研磨方法及び研磨装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：岩橋文雄 , 内藤浩樹 , 永野大介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005297505
Publication number (International publication number)：2007109777
Application date： Oct. 12, 2005
Publication date： Apr. 26, 2007
Summary：

【課題】GaN化合物半導体基板の最表面の加工変質層を除去するコロイダルシリカ砥粒を使用したメカノケミカル研磨方法を提供する。【解決手段】コロイダルシリカからなる研磨剤を用いてGaN化合物半導体基板を所定の圧力にて研磨パッド3に押し付けるとともに、研磨パッド3をGaN化合物半導体基板に対して相対運動させることにより、GaN化合物半導体基板を研磨するメカノケミカル研磨方法において、コロイダル砥粒の研磨剤と強度の所定のpH値を有するエッチング剤の酸性薬剤とを研磨パッド上の研磨面で混合し塗布するために、該コロイダル砥粒と酸性薬剤を間欠的に所定量滴下しながら研磨パッド3を回転してGaN化合物半導体基板の研磨を行う。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

コロイダルシリカからなる研磨剤を用いてGaN化合物半導体基板を所定の圧力にて研磨パッドに押し付けるとともに、前記研磨パッドを前記GaN化合物半導体基板に対して相対運動させることにより、前記GaN化合物半導体基板を研磨するメカノケミカル研磨方法において、コロイダル砥粒の研磨剤と強度の所定のpH値を有するエッチング剤の酸性薬剤とを研磨パッド上の研磨面で混合し塗布するために、前記コロイダル砥粒と酸性薬剤を間欠的に所定量滴下しながら前記研磨パッドを回転してGaN化合物半導体基板の研磨を行うことを特徴とするメカノケミカル研磨方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 , B24B 37/00 , H01L 21/306

FI (4)：

H01L21/304 622D , B24B37/00 H , B24B37/00 K , H01L21/306 M

F-Term (9)：

3C058AA07 , 3C058AC04 , 3C058CA01 , 3C058CB07 , 3C058DA12 , 3C058DA17 , 5F043AA05 , 5F043DD16 , 5F043FF07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

窒化ガリウム系化合物半導体基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-138667 Applicant：松下電器産業株式会社
GaNの研磨方法及びGaN用研磨剤
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-073390 Applicant：並木精密宝石株式会社

Cited by examiner (2)

半導体基板用研磨組成物及びこれを用いた半導体基板製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-100373 Applicant：ロデール・ニッタ株式会社, 住友電気工業株式会社
研磨装置、研磨方法、および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-190659 Applicant：株式会社東芝

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