微粒子膜形成装置・形成方法、ならびに半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998340264
Publication number (International publication number)：2000164531
Application date： Nov. 30, 1998
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】導電性微粒子膜を用いた現実的なバンプ電極構造の形成方法を実現すること。【解決手段】パッド電極26上にバリア膜27を形成した後、バリア膜27上に直径が1〜2μm以下のNi粒子を選択的に堆積し、Ni微粒子膜29を形成する。次にパッド電極26上にNi微粒子膜29を介して半田ボールからなるバンプ電極30を配置する。この後、熱処理によりバンプ電極30を溶融させ、Ni微粒子膜29とバンプ電極30とを接合することによって、バンプ電極構造を完成させる。

Claim (excerpt)：

一端にガスを内部に導入するガス導入口、他端に微粒子を含むガスを外部に吹き出すガス吹き出し口を有する容器と、前記ガス導入口から前記ガス吹き出し口に向かって一定のガス流を前記容器内に形成するガス流形成手段と、前記容器内に設けられた微粒子源としてのターゲットと、このターゲットの主面に光を照射することによって、前記ターゲットの構成材料を前記ガス流中に放出させ、前記構成材料からなる前記微粒子を前記ガス流中に形成する微粒子形成手段と、前記容器を移動させる移動手段とを具備してなることを特徴とする微粒子膜形成装置。

IPC (6)：

H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , C23C 14/28 , H01B 13/00 503 , H01L 21/3205 , H01L 21/60

FI (6)：

H01L 21/285 S , H01L 21/285 301 R , C23C 14/28 , H01B 13/00 503 Z , H01L 21/88 T , H01L 21/92 604 N

F-Term (25)：

4K029BA12 , 4K029BA17 , 4K029BA46 , 4K029BB02 , 4K029BC03 , 4K029BD01 , 4K029CA01 , 4K029CA02 , 4K029DA05 , 4K029DB20 , 4K029EA00 , 4M104BB02 , 4M104DD39 , 4M104DD40 , 4M104DD51 , 4M104DD79 , 4M104FF18 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH33 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033VV07 , 5F033XX33 , 5G323AA03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

金属微粒子堆積装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-071303 Applicant：株式会社東芝, 真空冶金株式会社, 日本真空技術株式会社
特開平2-160609
特開平4-116154

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Cited by examiner (9)

金属微粒子堆積装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-071303 Applicant：株式会社東芝, 真空冶金株式会社, 日本真空技術株式会社
特開平2-160609
特開平2-160609

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