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J-GLOBAL ID：200903034296114321

X線撮像装置

Inventor：
池田 光志

About 池田 光志

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熱田 昌己

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田中 学

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金野 晃

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鈴木 公平

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Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998070804
Publication number (International publication number)：1999274444
Application date： Mar. 19, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：
【要約】【課題】 TFTのリーク電流を抑制することにより、X線強度を弱くしても十分なダイナミックレンジを確保する。【解決手段】 複数配列された画素からなる検出部に入射したX線を電荷に変換するX線電荷変換膜2と、各画素に対応して設けられX線電荷変換膜2で変換された電荷を蓄積する蓄積容量3と、蓄積容量3に対応して設けられ蓄積容量3に蓄積された電荷を読み出すa-Si薄膜トランジスタ1とを有し、薄膜トランジスタ1のソース領域、ドレイン領域又はチャネル形成領域の少なくとも一つの領域の半導体は所定の不純物を含有しており、この所定の不純物が含有されていないときに比べてバンドギャップが広くなっている。
Claim (excerpt)：
複数配列された画素からなる検出部に入射したX線を電荷に変換する変換手段と、各画素に対応して設けられ前記変換手段で変換された電荷を蓄積する蓄積手段と、この蓄積手段に対応して設けられこの蓄積手段に蓄積された電荷を読み出す薄膜トランジスタからなる読み出し手段とを有し、前記薄膜トランジスタのソース領域、ドレイン領域又はチャネル形成領域の少なくとも一つの領域の半導体は所定の不純物を含有しており該所定の不純物が含有されていないときに比べてバンドギャップが広いものであることを特徴とするX線撮像装置。
IPC (2)：
H01L 27/14 ,  G01T 1/24
FI (2)：
H01L 27/14 K ,  G01T 1/24
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (15)
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