蛍光体及び蛍光体の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西村教光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998077823
Publication number (International publication number)：1999279550
Application date： Mar. 25, 1998
Publication date： Oct. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】粉体状のGaN蛍光体とその製造方法を提供する。【解決手段】蛍光体の製造装置1は、真空容器1と、原料ガスの導入管3と、粒子の容器4と、加熱用のランプ6と、容器4を振動させる攪拌機7を有する。原料ガスとして、TMGa(トリメチルGa)、アンモニアガス(NH3 )、DMZn(ジメチル亜鉛)、SiH4 (シラン)を用いる。粒子(粉体)として平均粒径が1μmのAlNを用いた。ランプ加熱により1020°Cに設定し、粒子上に半導体膜を成長させた。AlNの粒子の表面に形成されたGaN:Zn,Siを窒素中で700°Cでアニールし、蛍光体を得た。PLを観察したところ、青色の発光が得られた。また、これをVFD(蛍光表示管)の陽極基板に塗布して陽極電圧30Vで発光させて評価したところ、青色の発光が得られ、その時の輝度は約500cd/m2 であった。

Claim (excerpt)：

粒子の表面でヘテロエピタキシャル成長したIII-V族化合物半導体微粒子又は薄膜を有する蛍光体。

IPC (2)：

C09K 11/08 , C09K 11/62

FI (3)：

C09K 11/08 G , C09K 11/08 A , C09K 11/62

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

蛍光体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-100215 Applicant：双葉電子工業株式会社
蛍光体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-043032 Applicant：双葉電子工業株式会社
蛍光体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-051494 Applicant：双葉電子工業株式会社

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