ラジカル制御による微細加工方法および装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村暁秀 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999270089
Publication number (International publication number)：2000150489
Application date： Aug. 26, 1996
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】微細加工性の大幅な向上を実現させる。【解決手段】真空容器901内に導入された反応性ガスである第1の物質のプラズマ918を形成するとともに、反応性ガス、固体材料および液体材料のいずれか1種またはそれらの組み合わせである第2の物質を前記プラズマの外部において分解させて密度および/または組成が制御されたラジカル916を発生させ、該発生したラジカルを前記プラズマ中に注入することにより、該プラズマ中に配置された被処理基体910を微細加工する。

Claim (excerpt)：

真空容器内に導入された反応性ガスである第1の物質のプラズマを形成するとともに、反応性ガス、固体材料および液体材料のいずれか1種またはそれらの組み合わせである第2の物質を前記プラズマの外部において分解させて密度および/または組成が制御されたラジカルを発生させ、該発生したラジカルを前記プラズマ中に注入することにより、該プラズマ中に配置された被処理基体を微細加工するようにしたことを特徴とするラジカル制御による微細加工方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , C30B 29/04

FI (4)：

H01L 21/302 B , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , C30B 29/04 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

表面処理方法および表面処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-144862 Applicant：株式会社東芝
特開平3-179733
ドライエツチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-292117 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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Cited by examiner (9)

表面処理方法および表面処理装置
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特開平3-179733
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