Pat
J-GLOBAL ID：200903034347708663

III族窒化物系化合物半導体発光素子

Inventor：
沢崎 勝久

About 沢崎 勝久

, 
浅井 誠

About 浅井 誠

, 
兼山 直樹

About 兼山 直樹


Applicant, Patent owner：
豊田合成株式会社

About 豊田合成株式会社


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999090719
Publication number (International publication number)：2000286448
Application date： Mar. 31, 1999
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：
【要約】【課題】 簡単な製造工程の変更だけで、高キャリア濃度n<SP>+ </SP>層側へのキャリアの閉じ込め効果を十分に確保する。【解決手段】 サファイア基板11の上には窒化アルミニウム(AlN) から成る膜厚約25nmのバッファ層12が設けられ、その上にシリコン(Si)ドープのGaN から成る膜厚約4.0 μmの高キャリア濃度n<SP>+ </SP>層13が形成されている。この高キャリア濃度n<SP>+ </SP>層13の上には、ノンドープのIn<SB>x </SB>Ga<SB>1-X </SB>N (0<x<1) から成る膜厚約3000Åの中間層14が形成されている。次に、膜厚約250ÅのGaN から成るn型クラッド層15が積層され、更に、n型クラッド層15の上には、膜厚約30ÅのGa<SB>0.8</SB>In<SB>0.2</SB>N から成る井戸層161が計3層、膜厚約70ÅのGaN から成るバリア層162が計2層交互に積層され、これにより、2周期の多重量子井戸(MQW)構造の発光層16が形成されている。
Claim (excerpt)：
井戸層とバリア層とが交互に積層された、多重量子井戸構造の発光層を備えた III族窒化物系化合物半導体発光素子において、前記発光層に接して設けられるn型クラッド層を前記バリア層の膜厚よりも厚くしたことを特徴とする III族窒化物系化合物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 677
F-Term (23)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21 ,  5F073EA07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM