窒化物系半導体発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997234881
Publication number (International publication number)：1999074621
Application date： Aug. 29, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】しきい値電流低減とクラックの抑制とを同時に達成することができ、トータルの素子特性向上をはかる。【解決手段】 InGaN系半導体からなるMQW活性層16を活性層16よりもバンドギャップの大きい一対のGaN光閉じ込め層15,17で挟み、その外側を光閉じ込め層15,17よりもバンドギャップの大きいAlGaNからなるp型及びn型の一対のクラッド層14,18で挟んだ分離閉じ込めヘテロ構造を有し、かつその外側にp型及びn型のGaNコンタクト層13,19を有する窒化物系半導体レーザであって、一対の光閉じ込め層15,17のうち、n側の光閉じ込め層15をGaNコンタクト層13,19よりも屈折率の大きいInGaNで形成し、光閉じ込め効果の増大と共に、活性層16におけるクラックの発生を防止する。

Claim (excerpt)：

基板上に複数の窒化物系半導体層を積層してなり、活性層を一対の光閉じ込め層で挟み、その外側をp型及びn型の一対のクラッド層で挟んだ分離閉じ込めヘテロ構造を有し、かつその外側にp型及びn型のコンタクト層を有する窒化物系半導体発光素子であって、前記一対の光閉じ込め層のうち、p側の光閉じ込め層の屈折率は前記コンタクト層のそれと同じ又はそれよりも大きく、n側の光閉じ込め層の屈折率はp側の光閉じ込め層のそれよりも大きいことを特徴とする窒化物系半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-036250 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-317848 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開平1-217986

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