窒化ガリウム系半導体発光素子、及び半導体レーザ光源装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997052596
Publication number (International publication number)：1998256657
Application date： Mar. 07, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】窒化ガリウム系半導体発光素子において、良好なレーザ発振特性を有する半導体レーザ素子、および、高い光出力が得られる発光ダイオード素子を提供する。【解決手段】窒化物半導体からなるクラッド層4、9及び/又はガイド層5、28に挟まれた、少なくともインジウムとガリウムを含む窒化物半導体の量子井戸構造活性層を形成する。量子井戸構造活性層は2層の量子井戸層14、14とこれらに挟まれた1層の障壁層15の合計3層から形成される。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体からなるクラッド層及び/又はガイド層に挟まれた、少なくともインジウムとガリウムを含む窒化物半導体よりなる量子井戸構造活性層を備え、前記量子井戸構造活性層は2層の量子井戸層とこれらに挟まれた1層の障壁層とから形成されることを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-036250 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体レーザ素子及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-041583 Applicant：株式会社日立製作所
半導体レーザ,及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-055530 Applicant：三菱電機株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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