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J-GLOBAL ID：200903034484409495

レジスト塗布装置

Inventor：
青山 亨

About 青山 亨


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 中本 菊彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996031248
Publication number (International publication number)：1997205062
Application date： Jan. 26, 1996
Publication date： Aug. 05, 1997
Summary：
【要約】【課題】 レジスト膜を均一にし、かつ、レジスト膜の形成時間を短縮してスループットの向上を図れるようにすること。【解決手段】 半導体ウエハWを水平回転可能に保持するスピンチャック17と、半導体ウエハW表面にレジスト液を供給するレジスト液供給ノズル19とを、外部と区画される処理容器16内に配設する。処理容器16におけるスピンチャック17の上方に乾燥空気導入口16aを配設し、この乾燥空気導入口16aに連通する乾燥空気供給路64に、除湿器65及び温度コントローラ66を配設する。これにより、処理容器16内を外部に対して陽圧にすると共に、湿度を40%以下に設定することができるので、レジスト液中の溶剤の揮発を促進してレジスト膜の形成時間を短縮し、スループットの向上を図ることができる。
Claim (excerpt)：
被処理体の表面にレジスト液を供給すると共に、被処理体を回転させて、被処理体表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布装置において、上記装置内の上記被処理体の処理室を外部と区画形成し、処理室内に乾燥空気を導入して、処理室内を外部に対して陽圧雰囲気にすると共に、低湿度雰囲気としたことを特徴とするレジスト塗布装置。
IPC (5)：
H01L 21/027 ,  B05C 11/06 ,  B05C 11/08 ,  B05D 1/40 ,  G03F 7/16 502
FI (5)：
H01L 21/30 564 D ,  B05C 11/06 ,  B05C 11/08 ,  B05D 1/40 A ,  G03F 7/16 502
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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