半導体発光装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995225305
Publication number (International publication number)：1996125220
Application date： Sep. 01, 1995
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【課題】クラッド層の構造を最適化することにより、素子特性の向上、コスト低減を達成すること。【解決手段】第1導電型のAlGaAsP又はAlGaAsからなる第1クラッド層と、該第1クラッド層に隣接して、第1導電型のAlGaInP又はAlInPからなる厚さ0.5μm以下の第2クラッド層と、該第2のクラッド層に隣接して、第1又は第2導電型のAlGaInP又はGaInPからなる厚さ0.1〜1μmの活性層と、該活性層に隣接して、第2導電型のAlGaInP又はAlInPから成る厚さ0.5μm以下の第3クラッド層と、該第3クラッド層に隣接して、第2導電型のAlGaAsP又はAlGaAsからなる第4クラッド層を有することを特徴とする半導体発光装置。

Claim (excerpt)：

第1導電型のAlGaAsP又はAlGaAsからなる第1クラッド層と、該第1クラッド層に隣接して、第1導電型のAlGaInP又はAlInPからなる厚さ0.5μm以下の第2クラッド層と、該第2のクラッド層に隣接して、第1又は第2導電型のAlGaInP又はGaInPからなる厚さ0.1〜1μmの活性層と、該活性層に隣接して、第2導電型のAlGaInP又はAlInPから成る厚さ0.5μm以下の第3クラッド層と、該第3クラッド層に隣接して、第2導電型のAlGaAsP又はAlGaAsからなる第4クラッド層を有することを特徴とする半導体発光装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭61-280694
半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-255868 Applicant：日本ビクター株式会社
スーパールミネセント表面発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-282482 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド

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