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J-GLOBAL ID：200903034581728007

窒化ガリウム基板の製造方法

Inventor：
ウィリアム エス.ウォン

About ウィリアム エス.ウォン

, 
デイビッド ケー.ビージェルセン

About デイビッド ケー.ビージェルセン

, 
ミヒャエル アー.クナイスル

About ミヒャエル アー.クナイスル


Applicant, Patent owner：
ゼロックス・コーポレーション

About ゼロックス・コーポレーション


Agent (1)： 中島 淳 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002358811
Publication number (International publication number)：2003249453
Application date： Dec. 11, 2002
Publication date： Sep. 05, 2003
Summary：
【要約】【課題】 窒化物ベースの半導体構造に用いる窒化ガリウム基板を製造する。【解決手段】 まずサファイア基板上で窒化ガリウム層を成長させる。窒化ガリウム層上で、フォトレジストなどのマスク層、金属層または誘電体層をストライプにパターン形成する。次いで窒化ガリウム層をサファイア基板までエッチングしてトレンチを形成し、サファイア基板上に窒化ガリウムの区分領域を設ける。或いは、サファイア基板上で、予めパターン形成した窒化ガリウム層上に選択領域を再成長させるとトレンチが得られる。
Claim (excerpt)：
窒化物ベースの半導体構造物に用いる窒化ガリウム基板の製造方法であって、サファイア基板に窒化ガリウム層を蒸着するステップと、前記窒化ガリウム層を通って前記サファイア基板に達する、前記窒化ガリウム層を複数の窒化ガリウム基板に分割する少なくとも1つのトレンチをエッチングするステップと、前記複数の窒化ガリウム基板の、前記サファイア基板とは反対側の面に支持基板を接着するステップと、前記複数の窒化ガリウム基板から前記サファイア基板を取り除くステップと、前記複数の窒化ガリウム基板から前記支持基板を取り除くステップと、を含む、窒化ガリウム基板の製造方法。
IPC (5)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C30B 25/04 ,  C30B 29/38 ,  H01S 5/323 610
FI (5)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C30B 25/04 ,  C30B 29/38 D ,  H01S 5/323 610
F-Term (38)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TB05 ,  4G077TC16 ,  4G077TC17 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030AA20 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030LA12 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F073CA02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA24 ,  5F073DA35
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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