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J-GLOBAL ID：200903034626267197

プラズマエッチング方法及びプラズマ処理装置

Inventor：
里吉 務

About 里吉 務


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 佐々木 聖孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003285125
Publication number (International publication number)：2005056997
Application date： Aug. 01, 2003
Publication date： Mar. 03, 2005
Summary：
【課題】 2周波重畳印加方式において整合回路の小型化および低コスト化を実現すること。【解決手段】 このプラズマエッチング装置において、上部電極18はチャンバ10を介してグランド電位に接続(接地)され、下部電極16にはそれぞれ第1および第2の整合器36,38を介して第1の高周波電源40(たとえば13.56MHz)および第2の高周波電源42(たとえば3.2MHz)が電気的に接続されている。低周波側の第2の整合器38は、最終出力段にコイル62を有するT型回路で構成されており、該コイル62に第1の高周波電源40からの高周波(13.56MHz)を遮断するためのハイカットフィルタを兼用させている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
被処理基板上のアルミニウム、チタンもしくはチタン含有金属の膜をプラズマを用いてエッチングするためのプラズマエッチング方法であって、 真空可能な処理容器内で上部電極と対向して配置される下部電極の上に前記被処理基板を載置し、 前記上部電極と前記下部電極との間に塩素原子を含むガスまたはそれを主成分とするエッチングガスを流し込み、 前記下部電極に10MHz〜30MHzの範囲内に設定された第1の周波数を有する第1の高周波と2MHz〜6MHzの範囲内に設定された第2の周波数を有する第2の高周波とを重畳して印加するプラズマエッチング方法。
IPC (2)：
H01L21/3065 ,  H01L21/31
FI (2)：
H01L21/302 101B ,  H01L21/31 C
F-Term (23)：
5F004AA01 ,  5F004BA06 ,  5F004BA07 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA15 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB08 ,  5F045AA08 ,  5F045BB01 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14 ,  5F045EH20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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