半導体基板の切断方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 石田悟
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004213499
Publication number (International publication number)：2005109442
Application date： Jul. 21, 2004
Publication date： Apr. 21, 2005
Summary：

【課題】表面に機能素子が形成された半導体基板をダイボンド樹脂層と共に効率良く切断し得る半導体基板の切断方法を提供する。【解決手段】表面3に機能素子15が形成されたウェハ11の裏面17をレーザ光入射面とし、ウェハ11の内部に集光点Pを合わせてレーザ光Lを照射することで、多光子吸収を生じさせて切断予定ライン5に沿ってウェハ11の内部に溶融処理領域13による切断起点領域8を形成する。これにより自然に或いは比較的小さな力で切断起点領域8を起点として割れを発生させ、その割れを表面3と裏面17とに到達させることができる。従って、切断起点領域8形成後に、ウェハ11の裏面17にダイボンド樹脂層23を介在させて拡張フィルム21を貼り付け、その拡張フィルム21を拡張させると、切断予定ライン5に沿ってウェハ11及びダイボンド樹脂層23を切断することができる。【選択図】図16

Claim (excerpt)：

表面に機能素子が形成された半導体基板を切断予定ラインに沿って切断する半導体基板の切断方法であって、前記半導体基板の裏面をレーザ光入射面として前記半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することで改質領域を形成し、その改質領域によって、前記切断予定ラインに沿って前記レーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成する工程と、前記切断起点領域を形成した後に、前記半導体基板の裏面にダイボンド樹脂層を介在させて拡張可能な保持部材を取り付ける工程と、前記保持部材を取り付けた後に、前記保持部材を拡張させることで前記半導体基板及び前記ダイボンド樹脂層を前記切断予定ラインに沿って切断する工程とを備えることを特徴とする半導体基板の切断方法。

IPC (1)：

H01L21/301

FI (3)：

H01L21/78 B , H01L21/78 Q , H01L21/78 X

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

ウエハ貼着用粘着シートおよび半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-353569 Applicant：日立化成工業株式会社
ダイボンディング用接着剤及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-278509 Applicant：日立化成工業株式会社
レーザ加工方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-093204 Applicant：浜松ホトニクス株式会社

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