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J-GLOBAL ID:200903034709138933
透明導電性薄膜積層体
Inventor:
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999219751
Publication number (International publication number):2001052529
Application date: Aug. 03, 1999
Publication date: Feb. 23, 2001
Summary:
【要約】【課題】従来の透明導電性薄膜積層体は、製品に用いたときの銀凝集による点状欠陥発生頻度が高かった。【解決手段】濃度0.5mol/l、温度20°C塩化ナトリウム水溶液9時間浸漬後の透過率T及び浸漬前の透過率T0に関して、T/T0の値が、0.6以上であることに透明導電性薄膜積層体の性能を制約する。
Claim (excerpt):
濃度0.5mol/l、温度20°Cの塩化ナトリウム水溶液に9時間浸漬後の透過率をT、浸漬前の透過率をT0とした時、T/T0が0.6以上、1.0以下であることを特徴とする透明導電性薄膜積層体。
IPC (5):
H01B 5/14
, B32B 7/02 103
, B32B 7/02 104
, B32B 9/00
, B32B 15/04
FI (5):
H01B 5/14 A
, B32B 7/02 103
, B32B 7/02 104
, B32B 9/00 A
, B32B 15/04 Z
F-Term (36):
4F100AA17B
, 4F100AA19B
, 4F100AA21B
, 4F100AA25B
, 4F100AA28B
, 4F100AA33B
, 4F100AB17C
, 4F100AB24C
, 4F100AB31C
, 4F100AK25
, 4F100AK42
, 4F100AK49
, 4F100AK55
, 4F100AR00A
, 4F100AR00B
, 4F100BA03
, 4F100BA04
, 4F100BA05
, 4F100BA07
, 4F100BA08
, 4F100BA10A
, 4F100BA10B
, 4F100EH662
, 4F100GB41
, 4F100JB02
, 4F100JM02B
, 4F100JM02C
, 4F100JN01A
, 4F100JN01B
, 4F100JN18B
, 5G307FA01
, 5G307FA02
, 5G307FB01
, 5G307FB02
, 5G307FC04
, 5G307FC10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
-
透明導電性薄膜積層体の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-089527
Applicant:三井化学株式会社
-
透明導電性超薄膜及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-197962
Applicant:工業技術院長
-
透明導電膜
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-218685
Applicant:東燃株式会社
-
透明導電膜の成膜方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-006101
Applicant:富士通株式会社
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