Pat
J-GLOBAL ID：200903034865705384

固体撮像装置

Inventor：
宮川 良平

About 宮川 良平


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000191321
Publication number (International publication number)：2002009271
Application date： Jun. 26, 2000
Publication date： Jan. 11, 2002
Summary：
【要約】【課題】 電荷の完全転送を容易にし、同時に光感度の向上を図る。【解決手段】 素子分離領域12に取り囲まれた素子領域は、転送ゲートのゲート電極15が延びる方向の幅がW1の方形を有する。転送ゲートのチャネル幅W2は、できるだけ大きく、例えば、素子領域の幅W1に等しくなっている。ゲート電極15のソース側の素子領域の全体には、フォトダイオードの信号蓄積領域13が配置される。ゲート電極15のドレイン側の素子領域には、ゲート電極15が延びる方向の幅がW3の検出部14が配置される。検出部14のサイズは、できるだけ小さく設定される。ゲート電極15が延びる方向における検出部14の2つの縁部は、共に、素子分離領域12から離れている。
Claim (excerpt)：
第1導電型の半導体基板上の素子分離領域と、前記素子分離領域に取り囲まれた素子領域内に配置される光電変換素子と、前記素子領域内に配置され、前記光電変換素子により生成される電荷を検出部に転送するための転送ゲートとを具備し、前記検出部は、前記素子領域内に配置される第2導電型の不純物領域であり、かつ、前記転送ゲートのチャネル領域に接触する縁部を除く、前記検出部の縁部の少なくとも一部が前記素子分離領域から離れていることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (3)：
H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335
FI (3)：
H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A
F-Term (22)：
4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA06 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118DD09 ,  4M118FA06 ,  5C024BX00 ,  5C024CX11 ,  5C024CX41 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31 ,  5C024GY39 ,  5F049MA01 ,  5F049NA01 ,  5F049NB05 ,  5F049QA20 ,  5F049RA02 ,  5F049RA08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM