薄膜太陽電池

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：瀧野秀雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994263505
Publication number (International publication number)：1996125206
Application date： Oct. 27, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】熱処理しても導電膜やCuInSe2 合金膜が剥がれず、高歩留り、低コストで製造できる薄膜太陽電池を提供する。【構成】軟質ガラス基板1の上にTiN膜11、Mo膜2を形成し、その上に分散めっき法でCu-In/Se分散めっき膜3を形成し、Seを含むガス雰囲気中で熱処理してCuInSe2 膜4に転換する。CuInSe2 膜4の上にCdS膜5、反射防止膜6、透明電極膜7を形成して薄膜太陽電池とする。TiN膜11は、熱膨張率が軟質ガラスと近く、かつガラスとMoの両方に良くなじむので、熱処理しても導電膜やCuInSe2 合金膜4が剥がれず、高歩留り、低コストで薄膜太陽電池を製造できる。TiNの代わりにTiCを用いることもでき、またMo膜2を省くこともできる。

Claim (excerpt)：

ガラス基板の上に設けられた導電膜の上に銅-インジウム-セレン合金膜を吸収層として有する薄膜太陽電池において、前記導電膜が少なくともチタンまたはチタン化合物の膜を有することを特徴とする薄膜太陽電池。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

薄膜太陽電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-040323 Applicant：富士電機株式会社
電子素子部材およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-275761 Applicant：株式会社日鉱共石
特開平4-199880

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