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J-GLOBAL ID：200903035429924409

素子製造方法

Inventor：
マルティン,ハンス,ゲラン,エヴァルト

About マルティン,ハンス,ゲラン,エヴァルト

, 
エーマン,ペル,オーヴェ

About エーマン,ペル,オーヴェ


Applicant, Patent owner：
オーミク アクティエ ボラーグ

About オーミク アクティエ ボラーグ


Agent (1)： 武石 靖彦 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000531864
Publication number (International publication number)：2002503556
Application date： Feb. 04, 1999
Publication date： Feb. 05, 2002
Summary：
【要約】本発明は、電気素子、電子素子、光学素子、および/または機械的素子(12)の製造方法であって、その素子の基板が3次元構造(3’’)あるいは形状として与えられ、その素子を作るために、その基板にさらなる処理過程が施される製造方法に関する。ダイあるいはモールドで、例えば、モールド成形、プレス加工、押出成形、あるいはエンボス加工等により、前記基板が成形される。ここにおいて、その素子に必要な3次元構造の精密さは、そのダイあるいはモールドを作る時のマイクロメカニカル加工によって達成される。
Claim (excerpt)：
電気素子、電子素子、光学素子、および/または機械的素子の製造方法であって、その素子の基板が3次元構造あるいは3次元形状として与えられ、その素子を作るために、その基板にさらなる処理が施される製造方法において、抜き型あるいは成形型により、例えば、モールド成形、プレス加工、押出成型、あるいはエンボス加工等によりその基板を処理することを特徴とする電気素子、電子素子、光学素子、および/または機械的素子の製造方法。
IPC (7)：
B81C 1/00 ,  B81B 1/00 ,  B81C 5/00 ,  G01N 27/447 ,  G02B 3/00 ,  G02B 6/42 ,  H01L 21/02
FI (8)：
B81C 1/00 ,  B81B 1/00 ,  B81C 5/00 ,  G02B 3/00 Z ,  G02B 6/42 ,  H01L 21/02 Z ,  G01N 27/26 315 A ,  G01N 27/26 325 A
F-Term (10)：
2H037AA01 ,  2H037AA02 ,  2H037BA02 ,  2H037BA11 ,  2H037BA25 ,  2H037BA31 ,  2H037CA34 ,  2H037DA03 ,  2H037DA04 ,  2H037DA06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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