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J-GLOBAL ID：200903035955661587

エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Inventor：
高須 信孝

About 高須 信孝


Applicant, Patent owner：
住友ベークライト株式会社

About 住友ベークライト株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999079546
Publication number (International publication number)：2000273147
Application date： Mar. 24, 1999
Publication date： Oct. 03, 2000
Summary：
【要約】【課題】 薄型半導体装置への充填性と離型性に優れ、且つ半導体装置の耐半田性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。【解決手段】 一般式(1)で示され、且つ融点が50〜150°Cの結晶性エポキシ樹脂、一般式(5)で示されるフェノール樹脂、溶融シリカ粉末、及び硬化促進剤、特に好適にはアミジン化合物、グアニジン化合物、イミダゾール化合物からなる群から選択される少なく一個以上を必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、総フェノール樹脂のフェノール性水酸基数に対する総エポキシ樹脂のエポキシ基数の比率が1.1〜1.3であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【化1】【化2】(式中、Rは、水素、炭素数1から9までのアルキル基、又はハロゲン原子から選択される基であり、互いに同一であっても、異なっていても良い。一般式(5)のnは平均値で、1〜5の正数)
Claim (excerpt)：
(A)一般式(1)〜(4)で示され、且つ融点が50〜150°Cの結晶性エポキシ樹脂、(B)一般式(5)で示されるフェノール樹脂、(C)溶融シリカ粉末、及び(D)硬化促進剤を必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、(B)フェノール樹脂のフェノール性水酸基数に対する(A)エポキシ樹脂のエポキシ基数の比率が1.1〜1.3であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【化1】【化2】【化3】【化4】【化5】(式(1)〜式(5)中のRは、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数1から9までのアルキル基から選択される基であり、互いに同一であっても、異なっていても良い、一般式(5)のnは平均値で、1〜5の正数)
IPC (10)：
C08G 59/24 ,  B29C 45/02 ,  C08G 59/56 ,  C08G 59/62 ,  C08K 3/36 ,  C08L 63/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  B29K 63:00 ,  B29L 31:34
FI (7)：
C08G 59/24 ,  B29C 45/02 ,  C08G 59/56 ,  C08G 59/62 ,  C08K 3/36 ,  C08L 63/00 C ,  H01L 23/30 R
F-Term (44)：
4F206AA39C ,  4F206AB03 ,  4F206AB17 ,  4F206AH37 ,  4F206JA02 ,  4F206JB17 ,  4F206JF01 ,  4J002CC04X ,  4J002CC12X ,  4J002CD05W ,  4J002CD07W ,  4J002CD12W ,  4J002DJ017 ,  4J002EN026 ,  4J002ER026 ,  4J002EU066 ,  4J002EU116 ,  4J002EW016 ,  4J002EW176 ,  4J002EY016 ,  4J002FD156 ,  4J002GJ02 ,  4J002GQ01 ,  4J036AC01 ,  4J036AC05 ,  4J036AC06 ,  4J036AD07 ,  4J036AD08 ,  4J036AD09 ,  4J036AD10 ,  4J036DA05 ,  4J036DC31 ,  4J036DC41 ,  4J036DC46 ,  4J036FA05 ,  4J036FB07 ,  4J036JA07 ,  4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EA03 ,  4M109EB03 ,  4M109EB04 ,  4M109EB13
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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